Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了：20nm制程工艺

Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了，号称性能、可靠性是NAND闪存的1000倍，容量密度是后者10倍，各种黑科技秒杀当前的闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存的Optane硬盘问世，消费级容量是16/32GB，企业级有个375GB的DC P4800X系列，随机性能确实很强大。

不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存的技术内幕，好在现在可以确定一点了，那就是375GB的DC P4800X硬盘使用的是20nm工艺。

Intel当年发布3D XPoint闪存之后并没有透露该技术的细节，只说它是不同于NAND闪存的新型存储技术，性能、可靠性及密度全面领先当前NAND产品。Intel不公开技术内幕大概是为了保密，业界早前也在猜测3D XPpint闪存有可能是基于PCM相变技术的，也有说是ReRAM技术的，只是这些都无法证实。

现在Computerbase网站论坛有人爆料了DC P4800X硬盘的PCN通知书，里面提到了它是基于20nm工艺的，只是Intel以往的PCN通知都是公开的，但这次需要授权用户登录才能看到，所以普通人也无法查阅具体细节了。

Intel使用20nm工艺制造3D XPoint闪存也不算意外，虽然在进入3D闪存之后厂商就很少公布具体的制程工艺了，大多时候只公布堆栈层数，不过大部分3D闪存使用的制程工艺都不会很先进，三星早期的V-NAND闪存使用的还是40nm工艺，几年前的制程工艺了，听上去落后，但实际上是好事，因为提升密度可以靠对堆栈层数，更“落后”的工艺往往有更好的可靠性。