甩开Intel，台积电将投200亿美美元开发3nm工艺

2017年半导体制造工艺已经进入10nm节点，Intel、三星、TSMC今年内都推出了10nm工艺，2018年则会进入7nm节点，到这里为止是各大半导体厂商能够迅速量产的工艺极限了，再往下的5nm、3nm工艺还在研发中，是他们制胜未来的关键。昨天台积电率先公布了未来的3nm工艺计划，不再考虑出走美国，而是继续在台湾地区建设3nm工艺，预计整个投资计划将高达200亿美元。

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台积电昨天公告称经过评估，他们的3nm工艺将选址南科台南园区。不过台积电官方并没有公布投资计划详情，台湾经济部门预计整个3nm工艺投资案至少是5千亿新台币的规模，而业界分析认为3nm节点将大量采用EUV光刻技术，总投资额将高达200亿美元，将成为台湾科技史上投资最大的计划。

至于3nm工艺问世时间，预计量产时间是2022年之后，因为台积电目前的进度是2018年量产7nm工艺，增强版7nm工艺则是2019年问世，5nm工艺预计在2020年量产，之后才能轮到3nm工艺。

Intel前不久在北京的精尖制造日会议上也提到了在研发5nm、3nm工艺，不过官方并没有提及具体的进度，所以何时量产3nm还是个谜，但是可以确定的是Intel的10nm工艺今年底量产，而且也会有三代10nm工艺，未来的7nm恐怕也是如此，所以Intel的3nm工艺还会比相当长时间，进度应该会比台积电更靠后一些。